IXTV26N50P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTV26N50P概述

Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin3+Tab PLUS 220

N-Channel 500V 26A Tc 460W Tc Through Hole PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXTV26N50P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 26.0 A

耗散功率 460W Tc

输入电容 3.60 nF

栅电荷 65.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTV26N50P

型号： IXTV26N50P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin3+Tab PLUS 220

替代型号IXTV26N50P