IKW75N65ES5

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IKW75N65ES5中文资料参数规格
技术参数

额定功率 395 W

耗散功率 395000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 85 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 395000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Storage, Charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IKW75N65ES5
型号: IKW75N65ES5
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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