IXFV96N15P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV96N15P概述

PLUS N-CH 150V 96A

N-Channel 150V 96A Tc Through Hole PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220

贸泽:
MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXFV96N15P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 24 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 480 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 96A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 4.7 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFV96N15P

型号： IXFV96N15P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 150V 96A

替代型号IXFV96N15P