IDH12SG60CXKSA1概述
INFINEON IDH12SG60CXKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，
Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
IDH12SG60CXKSA1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.8 V
耗散功率 125 W
正向电流 12 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 59 A
正向电压Max 2.2 V
正向电流Max 12 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IDH12SG60CXKSA1
型号： IDH12SG60CXKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IDH12SG60CXKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220