IDD12SG60CXTMA1

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IDD12SG60CXTMA1概述

IDD12SG60C 系列 600V 12A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 12A DC Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODEN


艾睿:
Switch from an AC voltage to a DC voltage using a Schottky diode IDD12SG60CXTMA1 rectifier from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 125000 mW. Its peak non-repetitive surge current is 59 A, while its maximum continuous forward current is 12 A. It is made in a single configuration. This rectifier has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


安富利:
Diode Schottky 600V 12A 3-Pin TO-252 T/R


富昌:
IDD12SG60C 系列 600V 12A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3


Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 12A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


Verical:
Rectifier Diode Schottky 600V 12A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


IDD12SG60CXTMA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 2.1V @12A

耗散功率 125000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 12000 mA

正向电流Max 12 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IDD12SG60CXTMA1
型号: IDD12SG60CXTMA1
描述:IDD12SG60C 系列 600V 12A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3
替代型号IDD12SG60CXTMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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完全替代

IDD12SG60CXTMA1和IDD12SG60C的区别

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