TEXAS INSTRUMENTS ISO5451DW 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16
2.7A,5.5A 栅极驱动器 容性耦合 5700Vrms 通道 16-SOIC
得捷:
DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC
欧时:
Isolated IGBT Gate Driver w/CMTI SOIC16
立创商城:
ISO5451DW
德州仪器TI:
5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver with active protection features
e络盟:
MOSFET驱动器, 3V-5.5V电源, 5A输出, WSOIC-16
艾睿:
Driver 5A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
安富利:
MOSFET DRVR 2.5A 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 5A 1-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS ISO5451DW MOSFET/IGBT DRIVER, INV/NON-INV, WSOIC16
电源电压DC 3.00V min
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 1
通道数 1
针脚数 16
耗散功率 1255 mW
隔离电压 5700 Vrms
下降时间Max 20 ns
上升时间Max 20 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1255 mW
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ISO5451DW TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
ISO5451DWR 德州仪器 | 完全替代 | ISO5451DW和ISO5451DWR的区别 |