IRG8P08N120KD-EPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG8P08N120KD-EPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 15A 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT 1.2kV 15A 89W Through Hole TO-247AD

得捷:
IRG8P08N120 - DISCRETE IGBT WITH

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

ICbanQ:
International Rectifier IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8

IRG8P08N120KD-EPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 89000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 89 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 89000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG8P08N120KD-EPBF

型号： IRG8P08N120KD-EPBF

制造商： International Rectifier 国际整流器

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 15A 3Pin3+Tab TO-247AD Tube