晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
Summary of Features:
Benefits:
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.099 Ω
极性 N-CH
耗散功率 277.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 31.2A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 3240pF @100VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 277.8W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HID lighting, Battery charger, Unidirectional and bidirectional DC-DC converter
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅