IPL65R099C7AUMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 21A（Tc） 128W（Tc） PG-VSON-4
立创商城:
IPL65R099C7AUMA1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 21A VSON-4
贸泽:
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 21A 5-Pin VSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
IPL65R099C7AUMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 128 W
针脚数 4
漏源极电阻 0.088 Ω
极性 N-CH
耗散功率 128 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2140pF @400VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 128W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 PG-VSON-4
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-VSON-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
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