IPB107N20NAATMA1

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IPB107N20NAATMA1概述

INFINEON  IPB107N20NAATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

The IPB107N20NA is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies UPS and inverters.

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Lowest Qg and Qgd
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World"s lowest FOM, MSL 1 rated
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Highest efficiency
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Highest power density
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Lowest board space consumption
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Environmentally friendly
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Easy-to-design-in products
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Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
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Qualified according to JEDEC for target application
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Halogen-free, Green device
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Qualified according to AEC-Q101
IPB107N20NAATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0096 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 88A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 5340pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Audio, 发光二极管照明, LED Lighting, 电机驱动与控制, 音频, Automotive, Motor Drive & Control, Class D audio amplifiers, Power Management

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: IPB107N20NAATMA1
描述:INFINEON  IPB107N20NAATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

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