IXFC14N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFC14N80P概述

ISOPLUS N-CH 800V 8A

N-Channel 800V 8A Tc 130W Tc Through Hole ISOPLUS220™

得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220

IXFC14N80P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 130W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFC14N80P

型号： IXFC14N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 800V 8A