IXFV14N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV14N80P概述

PLUS N-CH 800V 14A

N-Channel 800V 14A Tc 400W Tc Through Hole PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXFV14N80P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 400 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 400 W

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXFV14N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 800V 14A

替代型号IXFV14N80P