IXTV200N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTV200N10T概述

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220

N-Channel 100V 200A Tc 550W Tc Through Hole PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220

贸泽:
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXTV200N10T中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.5 mΩ

耗散功率 550 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

额定功率Max 550 W

下降时间 34 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 550W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 4.7 mm

高度 15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTV200N10T

型号： IXTV200N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220

替代型号IXTV200N10T