IXFC12N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFC12N80P概述

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220

N-Channel 800V 7A Tc 120W Tc Through Hole ISOPLUS220™

得捷:
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220

IXFC12N80P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 120W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFC12N80P

型号： IXFC12N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220