IXFV30N50P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV30N50P概述

Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab PLUS 220

通孔 N 通道 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXFV30N50P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 30.0 A

漏源极电阻 200 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 460W Tc

输入电容 4.15 nF

栅电荷 70.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 4150pF @25VVds

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFV30N50P

型号： IXFV30N50P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab PLUS 220

替代型号IXFV30N50P