IKW50N65F5AXKSA1

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IKW50N65F5AXKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3


得捷:
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3


贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube


IKW50N65F5AXKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 270 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 77 ns

额定功率Max 270 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKW50N65F5AXKSA1
型号: IKW50N65F5AXKSA1
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube
替代型号IKW50N65F5AXKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

AIKW50N65DF5XKSA1

英飞凌

完全替代

IKW50N65F5AXKSA1和AIKW50N65DF5XKSA1的区别

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