PLUS N-CH 600V 26A
VDSS = 600 V
ID25 = 26 A
RDSon ≤ 270 mΩ
trr ≤ 200 ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
Avalanche Rated
Features
Fast Recovery diode
Unclamped Inductive Switching UIS rated
International standard packages
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
贸泽:
MOSFET 600V 26A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin3+Tab PLUS 220
额定电压DC 600 V
额定电流 26.0 A
通道数 1
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
阈值电压 5 V
输入电容 4.15 nF
栅电荷 72.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4150pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 11 mm
宽度 4.7 mm
高度 15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFV26N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFV26N60PS IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFV26N60P和IXFV26N60PS的区别 |
IXFH28N60P3 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFV26N60P和IXFH28N60P3的区别 |
IXTH26N60P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFV26N60P和IXTH26N60P的区别 |