IRFP460参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFP460中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

漏源极电阻 270 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 260 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 81 ns

输入电容Ciss 4200pF @25VVds

额定功率Max 260 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 260W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRFP460

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life

替代型号IRFP460