IXFV96N20P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV96N20P概述

Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin3+Tab PLUS 220

通孔 N 通道 200 V 96A（Tc） 600W（Tc） PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 200V 96A PLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXFV96N20P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 4800pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFV96N20P

型号： IXFV96N20P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin3+Tab PLUS 220

替代型号IXFV96N20P