IDW12G65C5FKSA1

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IDW12G65C5FKSA1概述

INFINEON  IDW12G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A DC Through Hole PG-TO247-3-41


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES


e络盟:
INFINEON  IDW12G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247


艾睿:
Diode Schottky 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Diode Schottky 650V 12A 3-Pin TO-247 Tube


富昌:
IDW12G65C5 系列 650V 12A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-247-3


Chip1Stop:
5TH GENERATION THINQ SIC SCHOTTKY DIODE


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 76W; PG-TO247-3


Newark:
# INFINEON  IDW12G65C5FKSA1  Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 5G 650V Series, Single, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247


IDW12G65C5FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 76 W

负载电流 12 A

正向电压 1.7V @12A

耗散功率 76 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 12 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IDW12G65C5FKSA1
型号: IDW12G65C5FKSA1
描述:INFINEON  IDW12G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247

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