IDH16G65C5XKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IDH16G65C5XKSA1概述

肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 16A DC Through Hole PG-TO220-2-2

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

艾睿:
Diode Schottky 650V 16A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

安富利:
Diode Schottky 650V 16A 2-Pin TO-220 Tube

富昌:
IDH16G65C5 系列 650V 16A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基二极管-PG-TO-220-2

Chip1Stop:
Diode Schottky 650V 16A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

TME:
Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 16A; 129W; PG-TO220-2

Verical:
Diode Schottky 650V 16A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

IDH16G65C5XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 129 W

负载电流 16 A

正向电压 1.7V @16A

耗散功率 129 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 16000 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 124 A

正向电流Max 16 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 129000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDH16G65C5XKSA1

型号： IDH16G65C5XKSA1

描述：肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

替代型号IDH16G65C5XKSA1