IXFC22N60P

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IXFC22N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220

N-Channel 600V 12A Tc 130W Tc Through Hole ISOPLUS220™


得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220


IXFC22N60P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 22.0 A

漏源极电阻 360 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 130W Tc

输入电容 4.00 nF

栅电荷 58.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输入电容Ciss 4000pF @25VVds

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFC22N60P
型号: IXFC22N60P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220

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