IXTC200N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTC200N10T概述

ISOPLUS N-CH 100V 101A

N-Channel 100V 101A Tc 160W Tc Through Hole ISOPLUS220™

得捷:
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 101A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220

IXTC200N10T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 101A

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

额定功率Max 160 W

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTC200N10T

型号： IXTC200N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 100V 101A