IPZ65R095C7XKSA1

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IPZ65R095C7XKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V

通孔 N 通道 650 V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO247-4


立创商城:
IPZ65R095C7XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 24A 4-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO247-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


IPZ65R095C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 128 W

针脚数 4

漏源极电阻 0.084 Ω

极性 N-CH

耗散功率 128 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2140pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 128W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPZ65R095C7XKSA1
型号: IPZ65R095C7XKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V

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