IDW16G65C5FKSA1概述
INFINEON IDW16G65C5FKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247
thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，
Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
IDW16G65C5FKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 94 W
负载电流 16 A
正向电压 1.7V @16A
耗散功率 94 W
反向恢复时间 0 ns
正向电流 16 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 95 A
正向电压Max 2.1 V
正向电流Max 16 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 94000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IDW16G65C5FKSA1
型号： IDW16G65C5FKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IDW16G65C5FKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247