IXFJ26N50P3

IXFJ26N50P3图片1
IXFJ26N50P3图片2
IXFJ26N50P3图片3
IXFJ26N50P3图片4
IXFJ26N50P3图片5
IXFJ26N50P3概述

TO-247 N-CH 500V 14A

通孔 N 通道 14A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXFJ26N50P3 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A


IXFJ26N50P3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 2220pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IXFJ26N50P3
型号: IXFJ26N50P3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247 N-CH 500V 14A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台