IPP65R065C7XKSA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V
IPP65R065C7, SP001080100
得捷:
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 33A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
IPP65R065C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 171 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.058 Ω
极性 N-CH
耗散功率 171 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 3020pF @400VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 171W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPP65R065C7XKSA1