IRFBA90N20DPBF概述
Single N-Channel 200V 650W 160NC Hexfet Power Mosfet Through Hole - SBM-2
N-Channel 200V 98A Tc 650W Tc Through Hole SUPER-220™ TO-273AA
得捷:
IRFBA90N20 - SMPS HEXFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 98A 3-Pin3+Tab TO-273AA Tube
Allied Electronics:
IRFBA90N20DPBF N-channel MOSFET Transistor, 98 A, 200 V, 3-Pin TO-273AA
IRFBA90N20DPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 98.0 A
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 650 W
产品系列 IRFBA90N20D
阈值电压 5 V
输入电容 160pF @10V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 98.0 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 6080pF @25VVds
额定功率Max 650 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRFBA90N20DPBF
型号： IRFBA90N20DPBF
制造商：
International Rectifier
国际整流器
描述：Single N-Channel 200V 650W 160NC Hexfet Power Mosfet Through Hole - SBM-2