IXFH26N55Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH26N55Q概述

Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin3+Tab TO-247AD

通孔 N 通道 26A（Tc） 375W（Tc） TO-247AD（IXFH）

得捷:
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD

贸泽:
MOSFET 26 Amps 550V 0.23 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
MOSFET N-CH 550V 26A TO-247

IXFH26N55Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 550 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH26N55Q

型号： IXFH26N55Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXFH26N55Q