IXFT66N20Q

IXFT66N20Q图片1
IXFT66N20Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

耗散功率 400 W

漏源击穿电压 200 V

上升时间 18 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT66N20Q
型号: IXFT66N20Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 66A 3Pin2+Tab TO-268

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