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IXTH24N50Q图片1

IXTH24N50Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 360 W

上升时间 20 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH24N50Q

型号： IXTH24N50Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXTH24N50Q

型号/品牌

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