IPZ65R065C7XKSA1

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IPZ65R065C7XKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V

通孔 N 通道 650 V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-4


欧时:
Infineon MOSFET IPZ65R065C7XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 33A 4-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


IPZ65R065C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 171 W

针脚数 4

漏源极电阻 0.058 Ω

极性 N-CH

耗散功率 171 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 33A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 3020pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 171W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPZ65R065C7XKSA1
型号: IPZ65R065C7XKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V

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