IDW20G65C5BXKSA1

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IDW20G65C5BXKSA1概述

肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

阵列 1 对共阴极 碳化硅肖特基 650 V 10A(DC) 通孔 TO-247-3


得捷:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES


艾睿:
5 Generation thinQ SiC Schottky Diode


IDW20G65C5BXKSA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @10A

耗散功率 112 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IDW20G65C5BXKSA1
型号: IDW20G65C5BXKSA1
描述:肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
替代型号IDW20G65C5BXKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IDW20G65C5BXKSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

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IDW20G65C5BXKSA2

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