IPW60R041C6FKSA1

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IPW60R041C6FKSA1概述

INFINEON  IPW60R041C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R041C6FKSA1, 77.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3


立创商城:
N沟道 600V 77.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 77.5 A, 650 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V


IPW60R041C6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 481 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 481 W

阈值电压 3 V

输入电容 6530 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 77.5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 6530pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 481 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 通信与网络, 电源管理, 替代能源, 照明, Consumer Electronics, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, Consumer Electronics, Power Management, Communications & Networking, Compu, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPW60R041C6FKSA1
型号: IPW60R041C6FKSA1
描述:INFINEON  IPW60R041C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V

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