IXFV12N120P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV12N120P概述

PLUS N-CH 1200V 12A

通孔 N 通道 1200 V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXFV12N120P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 543W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

耗散功率Max 543W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFV12N120P

型号： IXFV12N120P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 1200V 12A