IXFH22N55参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH22N55概述

Trans MOSFET N-CH 550V 22A 3Pin3+Tab TO-247AD

N-Channel 550V 22A Tc Through Hole TO-247AD IXFH

得捷:
MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXFH22N55中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 550 V

额定电流 22.0 A

漏源极电阻 270 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300W Tc

输入电容 4.20 nF

栅电荷 170 nC

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

输入电容Ciss 4200pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXFH22N55

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 550V 22A 3Pin3+Tab TO-247AD