IXSK35N120AU1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSK35N120AU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT - 通孔 TO-264AA（IXSK）

得捷:
IGBT 1200V 70A 300W TO264

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-264AA

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-264AA

IXSK35N120AU1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 70.0 A

上升时间 150 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXSK35N120AU1

型号： IXSK35N120AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab TO-264AA

替代型号IXSK35N120AU1