IDW30G120C5BFKSA1

IDW30G120C5BFKSA1图片1
IDW30G120C5BFKSA1图片2
IDW30G120C5BFKSA1图片3
IDW30G120C5BFKSA1图片4
IDW30G120C5BFKSA1图片5
IDW30G120C5BFKSA1概述

IDW30G120C5B Series 1200V 87 A 5th Generation ThinQ!橲iC Schottky Diode-TO-247-3

阵列 1 对共阴极 碳化硅肖特基 1200 V 44A(DC) 通孔 TO-247-3


欧时:
Infineon IDW30G120C5BFKSA1


得捷:
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 1200V Series, 双共阴极, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2x15A; 332W; Ir:17uA


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3 / Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 44A DC Through Hole TO-247-3


IDW30G120C5BFKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 332 W

正向电压 1.4 V

耗散功率 332 W

正向电流 30 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 240 A

正向电压Max 1.65V @15A

正向电流Max 87 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 332000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDW30G120C5BFKSA1
型号: IDW30G120C5BFKSA1
描述:IDW30G120C5B Series 1200V 87 A 5th Generation ThinQ!橲iC Schottky Diode-TO-247-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台