IDW30G120C5B Series 1200V 87 A 5th Generation ThinQ!橲iC Schottky Diode-TO-247-3
阵列 1 对共阴极 碳化硅肖特基 1200 V 44A(DC) 通孔 TO-247-3
欧时:
Infineon IDW30G120C5BFKSA1
得捷:
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 1200V Series, 双共阴极, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
艾睿:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Diode Schottky 1.2KV 87A 3-Pin TO-247 Tube
TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2x15A; 332W; Ir:17uA
Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3 / Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 44A DC Through Hole TO-247-3
额定功率 332 W
正向电压 1.4 V
耗散功率 332 W
正向电流 30 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 240 A
正向电压Max 1.65V @15A
正向电流Max 87 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 332000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free