IXFT12N100Q概述
TO-268 N-CH 1000V 12A
表面贴装型 N 通道 1000 V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin2+Tab TO-268
Win Source:
HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFT12N100Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号IXFT12N100Q
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT12N100Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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