IXFN100N10S2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN100N10S2概述

SOT-227B N-CH 100V 100A

N-Channel 100V 100A Tc 360W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 4-Pin SOT-227B

IXFN100N10S2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

额定功率Max 360 W

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXFN100N10S2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 100V 100A