IXFH32N50Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH32N50Q概述

TO-247AD N-CH 500V 32A

通孔 N 通道 32A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）

得捷:
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin3+Tab TO-247AD

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 32A; 416W; TO247AD

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD

IXFH32N50Q中文资料参数规格

技术参数

额定功率 416 W

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 416 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 4925pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH32N50Q

型号： IXFH32N50Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-247AD N-CH 500V 32A

替代型号IXFH32N50Q