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IXFN48N55概述

SOT-227B N-CH 550V 48A

底座安装 N 通道 550 V 48A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 48A 4-Pin SOT-227B

IXFN48N55中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 48A

输入电容Ciss 8900pF @25VVds

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN48N55

型号： IXFN48N55

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 550V 48A