IXFT15N100

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IXFT15N100中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-268-2

外形尺寸

封装 TO-268-2

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT15N100
型号: IXFT15N100
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268 N-CH 1000V 15A
替代型号IXFT15N100
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