Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPZ65R019C7XKSA1, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPZ65R019C7XKSA1, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装
立创商城:
N沟道 650V 75A
贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650MinV 75A 4-Pin TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4
Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
额定功率 446 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 19 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 446 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 700 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 9900pF @400VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 446W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-247-4
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅