肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 15A DC Through Hole PG-TO220-2-2
得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 15A 2-Pin2+Tab TO-220
Newark:
# INFINEON IDH15S120AKSA1 Silicon Carbide Schottky Diode, Sic, thinQ 2G 1200V Series, Single, 1.2 kV, 15 A, 54 nC, TO-220
Win Source:
DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO220-2 / Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 15A DC Through Hole PG-TO220-2-2
正向电压 1.8V @15A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 15 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 78 A
正向电压Max 1.8V @15A
正向电流Max 15 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 185000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
封装 TO-220-2
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IDH15S120AKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDH16G120C5XKSA1 英飞凌 | 类似代替 | IDH15S120AKSA1和IDH16G120C5XKSA1的区别 |
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor | 功能相似 | IDH15S120AKSA1和GB20SLT12-247的区别 |