Trans MOSFET N-CH 1kV 15A 3Pin2+Tab TO-268
表面贴装型 N 通道 1000 V 15A（Tc） 360W（Tc）
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
贸泽:
MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin2+Tab TO-268
通道数 1
漏源极电阻 700 mΩ
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT15N100Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFH15N100Q3 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT15N100Q和IXFH15N100Q3的区别 |
IXFH15N100P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT15N100Q和IXFH15N100P的区别 |
IXFH15N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT15N100Q和IXFH15N100的区别 |