IXFN150N15概述
SOT-227B N-CH 150V 150A
底座安装 N 通道 150A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 150V; 150A; 600W; SOT227B
IXFN150N15中文资料参数规格
技术参数
额定功率 600 W
通道数 1
漏源极电阻 12.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 600W Tc
输入电容 9.10 nF
栅电荷 360 nC
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 150 A
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 9100pF @25VVds
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
重量 44.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFN150N15