SOT-227B N-CH 500V 48A
Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits
Features
Popular Buck & Boost circuit topologies
International standard package miniBLOC SOT-227B
Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Low RDSon HDMOS™ process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low drain-to-case capacitance <60 pF
\- reduced RFI
Ultra-fast FRED diode with soft reverse recovery
得捷:
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
贸泽:
MOSFET 48 Amps 500V 100 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227B
通道数 1
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 520 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 48A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 8400pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 520W Tc
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFN48N50U3 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFN48N50 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFN48N50U3和IXFN48N50的区别 |
IXFN80N50 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFN48N50U3和IXFN80N50的区别 |
IXFN55N50 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFN48N50U3和IXFN55N50的区别 |