IXFN150N10参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN150N10概述

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B

N-Channel 100 V 150A Tc 520W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

贸泽:
MOSFET 150 Amps 100V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4-Pin SOT-227B

IXFN150N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 150 A

耗散功率 520 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 9000pF @25VVds

额定功率Max 520 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN150N10

型号： IXFN150N10

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B

替代型号IXFN150N10