IJW120R070T1FKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IJW120R070T1FKSA1图片1

IJW120R070T1FKSA1概述

IGBT 700V TO247-3

JFET N-Channel 35A 238W Through Hole PG-TO247-3

立创商城:
IJW120R070T1FKSA1

得捷:
IJW120R070 - POWER FIELD-EFFECT

贸泽:
JFET SIC CHIP/DISCRETE

艾睿:
1200 V SILICON CARBIDE JFET

Chip1Stop:
1200 V SILICON CARBIDE JFET

IJW120R070T1FKSA1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 70 mΩ

耗散功率 238 W

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1200 V

栅源击穿电压 2 V

输入电容Ciss 2000pF @19.5VVgs

额定功率Max 238 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IJW120R070T1FKSA1

型号： IJW120R070T1FKSA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：IGBT 700V TO247-3